投资约20亿元 中科潞安深紫外LED项目投产
更新时间:2019-07-09 10:16 发布者:

5月30日,山西省半导体产业联盟授牌仪式、中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外澳门国际LED项目投产仪式在中科潞安紫外光电科技有限公司举行。


2018年4月,长治市政府、中国科学院半导体研究所、潞安集团三方共建的“中科潞安半导体产业技术研究院”签约仪式在长治举行。同年12月,中科潞安深紫外LED项目完成项目的核心建设,顺利实现联合试运转。经过5个月的调试运转和工艺验证,项目产线设备状态和生产能力稳健提升和完善。项目正式投产,标志着深紫外LED项目进入到一个新的阶段。


据了解,中科潞安深紫外LED项目项目位于长治高新区漳泽新型工业园区,项目分两期建设,总投资约20亿元。其中:一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目,投资5.4亿元。二期工程为年产3亿颗紫外LED芯片项目,投资15亿元。项目建成后,将形成以半导体深紫外LED芯片为核心、布局下游产品的千亿元深紫外产业园区,市场前景广阔。